行业继直插（Lamp）工艺形态之后，一经 平常过渡到■外贴 （SMD）★工艺，跟着外贴（S▽○MD）形态大行其道，大有代替直插之际时，COB封装却又腾空降生，大有与外贴◁（SM D）封装 ○一较是…=非★★的意味。原本拿COB与外贴来作比力，原本就有点“合公战秦琼”，驴唇○=○不 对马 嘴—=—○小间距LE □★ D屏的“外贴”工艺与COB之间原本并不是“直接角逐”的联系。COB是一种封装技能，外贴 则○ 是▽ 一 种多量细 微器 件机合□组 织和电△气连绵技能。他们处于电子财富 ，更加是LED财富的分歧阶段。或者说，外贴★△ 是 L…ED屏创筑商 的中央工艺，而COB等封装技能则是终■ 端创筑商的上逛企业“LED封装财富”的“劳动”。两者本无须直接比力孰优孰劣，但架不住现在LED小间距大火，为告竣L…… ED小间距显示屏★○■最 好的 管理 ■ …★○计划，群众都正在八仙过海，各显术数。

　　正在小间距创筑工艺的比拼中，浩瀚小间□距 厂商■只可▽ 被动的正在过回■流焊外贴工艺等症结殚◁精 竭虑，闪转腾挪。然而跟着间距继续往下兴盛，单元面积内所○需贴片的LED灯珠成几何级倍增，这对外贴 工艺提出了越来越高▽的央浼。受小间距的间距越小，这种茂○密贴装工艺难度 越大的影响LCD大◁屏幕拼接收拾显，小间距正在继续减小间距的同时，死灯率过◁高的困难平昔未能=取得■ 有用地=管■理。以索尼为代外的局部厂商开端了从源流搜求实验去管理这一题目，即从芯片的计划与封装阶段就…琢磨茂密摆列的计○划。

　　索尼推出的△ CLEDIS技能原本即是基于Micro LED的显示技能，Micro LED技能，即LED微缩化和矩阵化技能。像素可定址、零丁驱动点亮，可算作是户外的微缩版，将像 素点间隔从★毫米 级低 落△至微 米 级，机合是微型化LED阵列，也即是将L◁ED机合○ 计划实行薄膜化、细微化与阵列化，使其体积约为目前主流 LED 巨★ 细的 1%。

　　而Micro LED displa△y，则是底○层用平常的CMOS集成电道创△筑工艺制成L ED显示驱动电道bsports必一体育，然后… 再用MOCVD机正在集成电道上制制LE■D阵列，从而告竣了微型显示屏，也即是所说的的缩小版。

　　索尼早正在2012年度，根基上○与邦内小★△间距厂商同期推出的C ▽L EDIS技能Bsports必一体育画面分割器COB小间距LED显示屏，主打商 场◁则要紧定位于消 费级商场。因为商场采纳度和开拓加入反差浩▽大，索尼一度要终止加入。而正在2016年索尼小△间距LED○技能面目一○新以“CLEDIS”技能形态重出江湖，而且其 定位商场一经□与… 邦内小间距 以贸易操纵为主△的商 场高度重合。索尼CLEDI S显示技能因为兼备超高亮度、无缝拼接和○显示尺寸简直没有周围等特色，正在户外 显示行业带来了足够震动的视觉恶果，却不必顾虑处境光辉的影响，并可以很好的餍足高○端显示操纵 的 需…求。索尼外现CLEDIS的要紧○商场将会是代替必定尺寸○限度的现有小间距…！

　　索尼将数十万颗LED芯★片通过倒装芯片技能(Flipchip)封装成一个CLEDIS模组COB小间距LED显示屏，每个CLEDI S模组大约403 mmx 453mm，而且可无缝拼接起来，酿成更大的显示单位。以403mm×453mm、像素数为纵360×横 320像○素的 显示模组“ZRD-1”为例，其对照度为100万比1，视角根基上可抵达180度处理器必一体育网页版登录，，sRG B色域约为140％<△ s tro n g>LCD大屏◁幕拼接收拾显。亮度最大约为1000cd/m 2。并且，抵达最大亮度时，耗电量约为200W。对照度高是由于以血色（R）、绿色（G）、蓝色（ B◁） LE D 为1个像 素的光○源▽★尺寸极度 ◁ 小，仅为0。003mm2。索尼将这种LED称为“Ultrafine LED”。

　　由于缩小了光源尺寸，以是□将○ 玄色正 在全 豹屏幕 中所 ○占的比例 普及 到 了 99％□以上，从而普 及了对照度□< strong>COB小间距LED…显示屏。而小间△距运用的是正在外外贴装型SMD封装中装配了RGB各色LED芯片的LED，玄色比例仅为“约30-40％”。不光是玄色比例高，并且因 为 LE■=D 具备□大□ 限度=配光本□△能。Bsports必一体育bsports必一体育COB小间距LED显示屏LCD大屏幕拼接处理显